黃仁勳:GAA晶體管提升英偉達下代GPU性能達20%
更新于:2025-03-29 20:27:04

外媒報導,GPU大廠英偉達 (NVIDIA) 首席執行官黃仁勳日前在GTC 2025的問答時段中表示,依靠環繞式閘極 (GAA) 晶體管的下代製程,可能提升英偉達GPU性能達20%。黃仁勳指的下代GPU,應該是2028年Feynman了。

Tom′s Hardware報導,黃仁勳似乎淡化製程變化的重要性,強調摩爾定律放緩代表新製程密度、功率或效率方面,只會有20%左右改進。儘管先進製程改進值得歡迎,但不再有變革性。我們接受,但其他因素更重要,人工智慧規模擴大,管理大量GPU的效率比每個GPU原始性能更重要。

傳統英偉達通常不會先采台積電最新製程,而選擇較成熟製程。英偉達以台積電4納米生產消費級及數據中心Ada Lovelace、Hopper和Blackwell等GPU,雖4納米是5納米改良版。英偉達下代GPU RuBin,采台積電3納米製程,可能是N3P或定製化版。英偉達首款採GAA的產品應是2028年Feynman架構。

台積電預計首款採用GAA技術的N2節點製程將比N3E性能提高10%到15%,當然黃仁勳並沒有提及會採用哪家的GAA製程技術。所以,理論上台積電N2製程技術,還是三星的類似技術,甚至是Intel 18A都有其可能姓。而且英偉達大概不會使用第一代製程技術,所以Feynman更可能會使用N2的改進版N2P,以提高性能、降低電阻並穩定電力輸送。此外,台積電預計N2P和A16節點製程都在2027年投產,其A16節點製程將增加背面供電功能,性能會比N2提升8%至10%。

報導強調,如果英偉達在Feynman GPU上使用N2P或者A16節點製程,預計將會比採用N3P節點製程的Rubin GPU每瓦性能提高20%,實際性能提升可能更高。不過,考慮到目前AI計算的巨大需求,英偉達似乎更傾向追求最高性能,而不是達到最佳能耗。

(首圖來源:視頻截屏)