IT之家 3 月 27 日消息，在 SEMICON China 2025 展會期間，中微半導體設備（上海）股份有限公司（IT之家以下簡稱“中微公司”）宣佈其自主研發的 12 吋晶圓邊緣刻蝕設備 Primo Halona 正式發佈。

Theo AMEC, thiết bị khắc cạnh 12 inch Primo Halona áp dụng thiết kế lò phản ứng kép đặc trưng, có thể cấu hình linh hoạt lên đến ba buồng phản ứng lò phản ứng kép và mỗi buồng phản ứng có thể xử lý hai tấm wafer cùng một lúc, có thể đáp ứng nhu cầu sản xuất hàng loạt của khắc cạnh wafer trong khi vẫn đảm bảo chi phí sản xuất thấp, để đạt được mật độ đầu ra cao hơn và nâng cao hiệu quả sản xuất.

Ngoài ra, khoang thiết bị được trang bị cánh tay robot Quadra-arm, chính xác và linh hoạt, bên trong khoang được thiết kế bằng vật liệu chống ăn mòn để chống ăn mòn khí halogen, đảm bảo cho sự ổn định và độ bền của thiết bị.

Theo AMEC, Primo Halona được trang bị thiết kế lắp đặt tự căn chỉnh độc đáo không chỉ cải thiện độ chính xác căn chỉnh và độ song song của các tấm trên và dưới, mà còn giảm hiệu quả thời gian ngừng hoạt động và thời gian bảo trì do lắp đặt hiệu chuẩn, từ đó giúp khách hàng tối ưu hóa năng lực sản xuất và sản xuất tinh gọn.

Về thông minh thiết bị, Primo Halona cung cấp một mô-đun đo lường tích hợp tùy chọn, qua đó khách hàng có thể thực hiện phép đo độ dày màng theo thời gian thực cục bộ, bù bằng một cú nhấp chuột và hiệu chuẩn chuyển wafer, đạt được khả năng bảo trì sản phẩm tốt hơn và cải thiện đáng kể hiệu quả bảo trì sau này.

Mới đây, AMEC thông báo rằng bằng cách liên tục cải thiện độ chính xác của việc điều khiển khí giữa các lò phản ứng, máy khắc lò phản ứng kép ICP Primo Twin-Star đã có một bước đột phá mới, và độ chính xác khắc giữa các lò phản ứng đã đạt 2,0A (mức dưới angstrom).

據介紹，這一刻蝕精度在氧化矽、氮化矽和多晶矽等薄膜的刻蝕工藝上，均得到了驗證。該精度約等於矽原子直徑 2.5 埃的十分之一，是人類頭髮絲平均直徑 100 微米的 500 萬分之一。