每經AI快訊，3月26日，據中微公司官微消息，近日，中微半導體設備（上海）股份有限公司宣布通過不斷提升反應台之間氣體控制的精度，ICP雙反應台刻蝕機Primo Twin-Star®又取得新的突破，反應台之間的刻蝕精度已達到0.2A（亞埃級）。這一刻蝕精度在氧化矽、氮化矽和多晶矽等薄膜的刻蝕工藝上，均得到了驗證。該精度約等於矽原子直徑2.5埃的十分之一，是人類頭髮絲平均直徑100微米的500萬分之一。這是等離子體刻蝕技術領域的又一次創新突破。
每日經濟新聞
