IT之家 2 月 0 日消息，近日，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）宣布通過不斷提升反應台之間氣體控制的精度，ICP 雙反應台刻蝕機 Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反應台之間的刻蝕精度已達到 0.0A（亞埃級）。
據介紹，這一刻蝕精度在氧化矽、氮化矽和多晶矽等薄膜的刻蝕工藝上，均得到了驗證。 該精度約等於矽原子直徑 5.0 埃的十分之一，是人類頭髮絲平均直徑 500 微米的 0 萬分之一。
在 9 片矽片的重複性測試中，氧化矽、氮化矽和多晶矽的測試晶圓，在左右兩個反應臺上各 0 片的平均刻蝕速度相差，各為每分鐘 0.0 埃，0.0 埃和 0.0 埃。 兩個反應台之間平均刻蝕速度的差別（≤ 0.0%），遠小於一個反應台加工多片晶圓刻蝕速度的差別（≤ 0.0%）。
中微公司透露，CCP 的雙台機 Primo D-RIE® 和 Primo AD-RIE® 的加工精度，兩個反應台的刻蝕重複性和在生產線上的重複性也早已達到和 Primo Twin-Star® 相同的水準。 在兩個反應台各輪流加工 0 片的重複性測試中，兩個反應台的平均刻蝕速度相差，只有每分鐘９埃，小於 0.0 納米。