IT之家 3 月 26 日消息，近日，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）宣布通過不斷提升反應台之間氣體控制的精度，ICP 雙反應台刻蝕機 Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反應台之間的刻蝕精度已達到 0.2A（亞埃級）。

Theo báo cáo, độ chính xác của quá trình khắc này đã được xác minh trong quá trình khắc các màng mỏng như oxit silicon, silicon nitride và polysilicon. Độ chính xác này xấp xỉ bằng một phần mười đường kính của nguyên tử silicon là 5,0 angstroms,是人類頭髮絲平均直徑 100 微米的 500 萬分之一。

Trong thử nghiệm độ lặp lại của 9 tấm wafer, tốc độ khắc trung bình của 0 tấm trên lò phản ứng bên trái và bên phải của các tấm thử nghiệm oxit silic, silic nitride và polysilicon chênh lệch lần lượt là 0,0 angstroms, 0,0 angstroms và 0,0 angstroms mỗi phút. Sự khác biệt về tốc độ khắc trung bình giữa hai lò phản ứng (≤ 0,0%) nhỏ hơn nhiều so với sự khác biệt về tốc độ khắc giữa nhiều tấm wafer được xử lý bởi một lò phản ứng (≤ 0,0%).

AMEC tiết lộ rằng độ chính xác gia công của máy đôi của CCP, Primo D-RIE® và Primo AD-RIE®, độ lặp lại của hai lò phản ứng và độ lặp lại trên dây chuyền sản xuất已達到和 Primo Twin-Star® 相同的水準。 Trong thử nghiệm độ lặp lại của 0 tấm trong mỗi lò phản ứng, sự khác biệt về tốc độ khắc trung bình giữa hai lò phản ứng chỉ là 9 angstrom mỗi phút, nhỏ hơn 0,0 nanomet.