IT之家 3 月 26 日消息，近日，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）宣布通過不斷提升反應台之間氣體控制的精度，ICP 雙反應台刻蝕機 Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反應台之間的刻蝕精度已達到 0.2A（亞埃級）。
據介紹，這一刻蝕精度在氧化矽、氮化矽和多晶矽等薄膜的刻蝕工藝上，均得到了驗證。該精度約等於矽原子直徑 2.5 埃的十分之一，是人類頭髮絲平均直徑 100 微米的 500 萬分之一。
在 200 片矽片的重複性測試中，氧化矽、氮化矽和多晶矽的測試晶圓，在左右兩個反應臺上各 100 片的平均刻蝕速度相差，各為每分鐘 0.9 埃，1.5 埃和 1.0 埃。兩個反應台之間平均刻蝕速度的差別（≤ 0.09%），遠小於一個反應台加工多片晶圓刻蝕速度的差別（≤ 0.9%）。
中微公司透露，CCP 的雙台機 Primo D-RIE® 和 Primo AD-RIE® 的加工精度，兩個反應台的刻蝕重複性和在生產線上的重複性也早已達到和 Primo Twin-Star® 相同的水準。在兩個反應台各輪流加工 1000 片的重複性測試中，兩個反應台的平均刻蝕速度相差，只有每分鐘９埃，小於 1.0 納米。